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      氮化镓黑马元拓高科发布GaNmosfet: 体积小,内阻低,耐压高,散热快

      发布时间:2021-12-24    栏目行业:产品知识    浏览次数:

        深圳元拓高科作为国内第三代半导体设计公司,集合了国内外十数名资深功率器件资深专家,最新推出专门用于快充充电头的氮化镓Mos管YT65系列。该产品主要针对30W——120W 快充头,体积小,内阻低,耐压高,集成度高,散热快,助力用户轻松设计充电头。

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        该系列芯片具有以下优势:


        1.体积小


        YT65系列不同于业界普遍采用的QFN8*8封装,采用DFN5*6的封装,在追求小型化,大功率密度的设计中,节省了PCB空间, 大大简化了工程师布板的难度。


        以下是参考设计demo,65W 1A1C;业绩体积最小。功率密度达2.08w;


        2.内阻低


        YT65系列中的YT65E15DAB为单体增强型设计,内阻低至120mΩ,大大降低了MOS管在工作是的发热,提高工作电流。


        3.耐压高


        本公司所有系列的GaN产品,耐压最低在750V以上,电路设计,电路保护,不发生炸机。降低了工程师在设计中的风险,对其他物料的选型不挑品牌。在缺物料的大环境市场行情中,更快设计,更快出品。


        3.外围简单


        外围电路简单,该芯片内部内置驱动,外围设计非常简单,Vgs最大20V,可以直接驱动,无需另外驱动电路。少用10几颗元器件,对于客户BOM成本,加工成本都能降低,同时大大降低了生产工艺难度,易于生产。从而整体降低产品成本。


        4.独特封装设计,散热更快


        采用DFN5*6的封装,而且底部超大散热面积,有效降低了热量在芯片的叠加,增加了安全性。整个产品外壳的温升也得到有效的控制。另外,独特的EMI设计,整个充电头过安规认证也更容易。


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